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J-GLOBAL ID：200902121767717788   整理番号：00A0535739

電子ビーム蒸着によりSi(100)上に250°Cで堆積させた酸化チタン膜

Titanium oxide films on Si(100) deposited by electron-beam evaporation at 250°C.

著者 (9件)： JANG H K (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  WHANGBO S W (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM H B (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  IM K Y (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Y S (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LYO I W (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM G (Myongji Univ., Yongin, KOR) ,  LEE H-S (Pohang Univ. Sci. Technol., Pohang, KOR) ,  LEE J M (Pohang Univ. Sci. Technol., Pohang, KOR)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 18  号： 3  ページ： 917-921  発行年： 2000年05月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 約400nm厚さの二酸化チタン膜をp-Si(100)上に標記...

シソーラス用語： *酸化チタン ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビーム蒸着 ,  Si ,  堆積 ,  酸化チタン膜