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J-GLOBAL ID：200902121879748163   整理番号：94A0958989

1.8GHzで2.8W/mmの電力密度を有する4H-SiCMESFET

4H-SiC MESFET with 2.8W/mm Power Density at 1.8GHz.

著者 (4件)： WEITZEL C E (Motorola, Inc., AZ, USA) ,  PALMOUR J W (Cree Research, NC, USA) ,  CARTER C H JR (Cree Research, NC, USA) ,  NORDQUIST K J (Motorola, Inc., AZ, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 15  号： 10  ページ： 406-408  発行年： 1994年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC基板とエピタキシーを用いてMESFETを製作した...

シソーラス用語： MESFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電力密度