遠紫外分光偏光解析法による金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の高K誘電体の誘電関数と光学バンドギャップ

LIM S-G; JACKSON T N; HAENI J H; SCHLOM D G; BALBASHOV A M; UECKER R; REICHE P; FREEOUF J L; LUCOVSKY G

文献

J-GLOBAL ID：200902121912728629 整理番号：02A0372552

遠紫外分光偏光解析法による金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の高K誘電体の誘電関数と光学バンドギャップ

Dielectric functions and optical bandgaps of high-K dielectrics for metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by far ultraviolet spectroscopic ellipsometry.

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資料名：
巻： 91 号： 7 ページ： 4500-4505 発行年： 2002年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

9eVまで測定可能な遠紫外エリプソメータを開発し,高K誘電体...

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強誘電体,反強誘電体,強弾性

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