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J-GLOBAL ID：200902121925623761   整理番号：96A0998574

第III族窒化物三元膜の高密度エッチング

High-Density Etching of Group III Nitride Ternary Films.

著者 (5件)： SHUL R J (Sandia National Lab., New Mexico, USA) ,  HOWARD A J (Sandia National Lab., New Mexico, USA) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, Florida, USA) ,  ABERNATHY C R (Univ. Florida, Florida, USA) ,  VARTULI C B (Univ. Florida, Florida, USA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 143  号： 10  ページ： 3285-3290  発行年： 1996年10月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第3族窒化物は,不活性な化学的性質を有するために,湿式及びド...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： III族 ,  窒化物 ,  高密度 ,  エッチング