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J-GLOBAL ID：200902122106992681   整理番号：02A0200688

1.2V,450MHz動作を目標とする0.13μm全金属埋込みDRAM技術

A 0.13μm Full Metal Embedded DRAM Technology Targeting on 1.2V, 450MHz Operation.
著者 (9件)：
ARAI S

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(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
SAKOH T

SAKOH T について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
KITAMURA T

KITAMURA T について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

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SHIRAI H

SHIRAI H について

(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

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AOKI Y

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(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

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SAKAO M

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(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
INOUE K

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(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
TAKEUCHI M

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(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について

, 
KISHI S

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(NEC Corp., Kanagawa, JPN)

NEC Corp., Kanagawa, JPN について


資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

Technical Digest. International Electron Devices Meeting について


巻： 2001  ページ： 403-406  発行年： 2001年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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論理回路とDRAM間の高速,広帯域データ転送を実現するため,...
シソーラス用語：
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*DRAM

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分類 (2件)：
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半導体集積回路 
(NC03162T)

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,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

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