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J-GLOBAL ID：200902122183638530   整理番号：02A0106689

Dislocations in GaN-Based Laser Diodes on Epitaxial Lateral Overgrown GaN Layers.

著者 (9件)： TOMIYA S (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  NAKAJIMA H (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUNATO K (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  MIYAJIMA T (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI K (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  HINO T (Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN) ,  KIJIMA S (Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN) ,  ASANO T (Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN) ,  IKEDA M (Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 188  号： 1  ページ： 69-72  発行年： 2001年11月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  LASER