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J-GLOBAL ID：200902122496968786   整理番号：98A0067432

6H-SiC上に成長させたGaNエピタキシャル層における二軸性歪のRamanおよび光ルミネセンス測定

Raman and photoluminescence studies of biaxial strain in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC.
著者 (9件)：
DAVYDOV V YU

DAVYDOV V YU について

(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)

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AVERKIEV N S

AVERKIEV N S について

(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)

A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について

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GONCHARUK I N

GONCHARUK I N について

(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)

A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について

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NELSON D K

NELSON D K について

(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)

A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について

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NIKITINA I P

NIKITINA I P について

(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)

A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について

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POLKOVNIKOV A S

POLKOVNIKOV A S について

(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)

A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について

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SMIRNOV A N

SMIRNOV A N について

(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)

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JACOBSON M A

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(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)

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SEMCHINOVA O K

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(Univ. Hannover, Hannover, DEU)

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資料名：
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

Journal of Applied Physics について


巻： 82  号： 10  ページ： 5097-5102  発行年： 1997年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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MOCVD法で6H-SiC基板に成長させた高品質GaNエピタ...
シソーラス用語：
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窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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分類 (2件)：
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 
(BM08066B)

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GaN

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光ルミネセンス

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