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J-GLOBAL ID：200902122747489394   整理番号：98A0446706

ULSIのメタライゼーションに使うナノポーラスSiO2ベースエーロゲル薄膜の生成

Fabrication of SiO2 Based Nanoporous Aerogel Thin Films for Advanced IC Metallization.
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著者 (4件)：
WINKLER T

WINKLER T について

(Univ. Technol. Chemnitz, Chemnitz, DEU)

Univ. Technol. Chemnitz, Chemnitz, DEU について

, 
SCHULZ S E

SCHULZ S E について

(Univ. Technol. Chemnitz, Chemnitz, DEU)

Univ. Technol. Chemnitz, Chemnitz, DEU について

, 
STREITER R

STREITER R について

(Univ. Technol. Chemnitz, Chemnitz, DEU)

Univ. Technol. Chemnitz, Chemnitz, DEU について

, 
GESSNER T

GESSNER T について

(Univ. Technol. Chemnitz, Chemnitz, DEU)

Univ. Technol. Chemnitz, Chemnitz, DEU について


資料名：
Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997  (Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997)

Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997 について


ページ： 347-351  発行年： 1998年 
JST資料番号： K19980242  ISBN： 1-55899-412-2  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ULSIの相互接続における遅延時間を改善する手段として,低誘...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*メタライゼーション

メタライゼーション について

,...
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シソーラス用語/準シソーラス用語
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ULSI

ULSI について

,...
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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

,  誘電体一般 
(BM05010F)

誘電体一般 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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ULSI

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メタライゼーション

メタライゼーション について

, 
ナノポーラス

ナノポーラス について

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SiO2

SiO2 について

, 
エーロゲル

エーロゲル について

, 
薄膜

薄膜 について


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