格子不整合AlmGa1-mN/GaN HEMTの2-DEGシート電荷密度および電流電圧特性に及ぼすAlmGa1-mN層の応力緩和の影響

RASHMI; KRANTI A; HALDAR S; GUPTA R S

文献

J-GLOBAL ID：200902122842338077 整理番号：02A0266356

格子不整合Al_mGa_1-mN/GaN HEMTの2-DEGシート電荷密度および電流電圧特性に及ぼすAl_mGa_1-mN層の応力緩和の影響

Impact of strain relaxation of Al_mGa_1-mN layer on 2-DEG sheet charge density and current voltage characteristics of lattice mismatched Al_mGa_1-mN/GaN HEMTs.

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資料名：
巻： 33 号： 3 ページ： 205-212 発行年： 2002年03月
JST資料番号： A0186A ISSN： 0026-2692 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

AlGaN/GaN HEMTがマイクロ波用デバイスの魅力ある...

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