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J-GLOBAL ID：200902122863999804   整理番号：01A0652849

エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成

P-type ZnO Layer Formation by Excimer Laser Doping.

著者 (5件)： 清水克美 (静岡大 電子工研) ,  三宅亜紀 (静岡大 電子工研) ,  青木徹 (静岡大 電子工研) ,  中西洋一郎 (静岡大 電子工研) ,  畑中義式 (静岡大 電子工研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 101  号： 82(SDM2001 14-29)  ページ： 19-24  発行年： 2001年05月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： リモートプラズマ励起MOCVD法によりSi(111)上にエピ...

シソーラス用語： エキシマレーザ ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (1件)： ZnO