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J-GLOBAL ID：200902123104474604   整理番号：03A0047466

0.25μm CMOSプロセスで製作した相補型ピクセルアーキテクチャとパルス幅変調を持つ1.0V V_DD CMOSアクティブピクセルセンサ

A 1.0-V V_DD CMOS Active-Pixel Sensor With Complementary Pixel Architecture and Pulsewidth Modulation Fabricated With a 0.25-μm CMOS Process.

著者 (4件)： XU C (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  ZHANG W Q (Celestry Design Technol., Inc., CA, USA) ,  KI W-H (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHAN M (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 37  号： 12  ページ： 1853-1859  発行年： 2002年12月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低消費電力の携帯マルチメディアデバイス市場が広がり,高密度,...

シソーラス用語： *CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： FVD法 ,...

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分類 (2件)： 撮像・録画装置  (ND12032E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： CMOSプロセス ,  製作 ,  ピクセル ,  アーキテクチャ ,  パルス幅変調 ,  CMOS ,  アクティブピクセルセンサ