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J-GLOBAL ID：200902123110342728   整理番号：97A0431560

GaAs(001)ひ素リッチ表面上に成長したC60FCC(110)薄膜中の13%格子膨張の機構

A Mechanism of 13% Lattice Expansion in C60 FCC(110) Thin Films Grown on the GaAs(001) As-rich Surface.
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著者 (9件)：
OHNO K

OHNO K について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
LI Z-Q

LI Z-Q について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
KAMIYAMA H

KAMIYAMA H について

(Aomori Public Coll., Aomori, JPN)

Aomori Public Coll., Aomori, JPN について

, 
KAWAZOE Y

KAWAZOE Y について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
XUE Q

XUE Q について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
HASHIZUME T

HASHIZUME T について

(Hitachi Ltd., Saitama, JPN)

Hitachi Ltd., Saitama, JPN について

, 
HASEGAWA Y

HASEGAWA Y について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
SHINOHARA H

SHINOHARA H について

(Hitachi Ltd., Saitama, JPN)

Hitachi Ltd., Saitama, JPN について

, 
SAKURAI T

SAKURAI T について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について


資料名：
Science Reports of the Research Institutes, Tohoku University. Series A. Physics, Chemistry and Metallurgy  (Science Reports of the Research Institutes, Tohoku University. Series A. Physics, Chemistry and Metallurgy)

Science Reports of the Research Institutes, Tohoku University. Series A. Physics, Chemistry and Metallurgy について


巻： 43  号： 1  ページ： 61-65  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： F0995A  ISSN： 0040-8808  CODEN： SRTAA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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走査トンネル顕微鏡で観察したC60多層...
シソーラス用語：
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炭素

炭素 について

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格子膨張

格子膨張 について


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分類 (1件)：
分類
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分子化合物 
(CE02000C)

分子化合物 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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GaAs

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ひ素

ひ素 について

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成長

成長 について

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薄膜

薄膜 について

, 
格子膨張

格子膨張 について


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