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J-GLOBAL ID：200902123135734442   整理番号：95A0588110

シリコン(100)基板上に化学蒸着により成長させたβ-SiC中の電子トラップ

Electron traps in β-SiC grown by chemical vapor deposition on silicon (100) substrates.

著者 (3件)： ZEKENTES K (Inst. Electronic Structure and Lasers, Crete, GRC) ,  KAYIAMBAKI M (Inst. Electronic Structure and Lasers, Crete, GRC) ,  CONSTANTINIDIS G (Inst. Electronic Structure and Lasers, Crete, GRC)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 66  号： 22  ページ： 3015-3017  発行年： 1995年05月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着によりSi(100)基板上に成長させたヘテロエピタキ...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  化学蒸着 ,  成長 ,  SiC ,  電子トラップ