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J-GLOBAL ID：200902123175224382   整理番号：00A0479766

CMOS撮像素子用の新LV-BPD(低電圧埋め込みフォトダイオード)

New LV-BPD(Low Voltage Buried Photo-Diode) for CMOS Imager.
著者 (9件)：
INOUE I

INOUE I について

(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)

Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN について

, 
NOZAKI H

NOZAKI H について

(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)

Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN について

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YAMASHITA H

YAMASHITA H について

(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)

Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN について

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YAMAGUCHI T

YAMAGUCHI T について

(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)

Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN について

, 
ISHIWATA H

ISHIWATA H について

(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)

Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN について

, 
IHARA H

IHARA H について

(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)

Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN について

, 
MIYAGAWA R

MIYAGAWA R について

(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN)

Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN について

, 
NAKAMURA N

NAKAMURA N について

(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)

Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN について

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MATSUNAGA Y

MATSUNAGA Y について

(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)

Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN について


資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

Technical Digest. International Electron Devices Meeting について


巻： 1999  ページ： 883-886  発行年： 1999年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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CCD撮像素子による高画質画像は,完全電荷移送埋め込みフォト...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*CMOS構造

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分類 (2件)：
分類
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光導電素子 
(NC03083X)

光導電素子 について

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(ND12032E)

撮像・録画装置 について

タイトルに関連する用語 (7件)：
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BPD

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低電圧

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埋め込み

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フォトダイオード

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