埋込みゲート接合電界効果トランジスタの特性に及ぼす炭化けい素表面のプラズマ処理の影響

IVANOV P A; KON’KOV O I; PANTELEEV V N; SAMSONOVA T P

文献

J-GLOBAL ID：200902123416313578 整理番号：98A0172740

埋込みゲート接合電界効果トランジスタの特性に及ぼす炭化けい素表面のプラズマ処理の影響

Influence of plasma treatment of the surface of silicon carbide on the characteristics of buried-gate junction field-effect transistors.

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巻： 31 号： 11 ページ： 1212-1215 発行年： 1997年11月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SiC埋込みゲート接合電界効果トランジスタにおいて,このよう...

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トランジスタ

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