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J-GLOBAL ID：200902123753121826   整理番号：96A0711677

GaNバルク単結晶及びエピタキシャル層の成長における格子極性の決定

Determination of lattice polarity for growth of GaN bulk single crystals and epitaxial layers.

著者 (5件)： PONCE F A (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  BOUR D P (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  YOUNG W T (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  SAUNDERS M (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  STEEDS J W (Univ. Bristol, Bristol, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 3  ページ： 337-339  発行年： 1996年07月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルク単結晶GaN及びホモエピタキシャル及びサファイア基板上...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  バルク ,  単結晶 ,  エピタキシャル層 ,  成長 ,  格子 ,  極性