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J-GLOBAL ID：200902123783010050   整理番号：02A0070313

プラズマ支援分子線エピタクシー法で成長させたAlN/GaNおよび(Al,Ga)N/AlN/GaNの二次元電子ガス構造

AlN/GaN and (Al,Ga)N/AlN/GaN two-dimensional electron gas structures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy.

著者 (9件)： SMORCHKOVA I P (Univ. California, California) ,  CHEN L (Univ. California, California) ,  MATES T (Univ. California, California) ,  SHEN L (Univ. California, California) ,  HEIKMAN S (Univ. California, California) ,  MORAN B (Univ. California, California) ,  KELLER S (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 90  号： 10  ページ： 5196-5201  発行年： 2001年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN(厚さd)/GaNヘテロ構造においては,AlN障壁内の...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

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分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズマ ,  支援 ,  分子線エピタクシー法 ,  成長 ,  AlN ,  GaN ,  Al ,  Ga ,  二次元電子ガス