低圧化学蒸着多結晶シリコン薄膜の微結晶成長に及ぼす圧力の効果と薄膜トランジスタにおける高い垂直電界下の有効電子移動度

DIMITRIADIS C A; STOEMENOS J; COXON P A; FRILIGKOS S; ANTONOPOULOS J; ECONOMOU N A

文献

J-GLOBAL ID：200902123860743503 整理番号：93A0653722

低圧化学蒸着多結晶シリコン薄膜の微結晶成長に及ぼす圧力の効果と薄膜トランジスタにおける高い垂直電界下の有効電子移動度

Effect of pressure on the growth of crystallites of low-pressure chemical-vapor-deposited polycrystalline silicon films and the effective electron mobility under high normal field in thin-film transistors.

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資料名：
巻： 73 号： 12 ページ： 8402-8411 発行年： 1993年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低圧化学蒸着で成長させた多結晶薄膜の形態を,膜厚,堆積圧力お...

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半導体薄膜 , トランジスタ

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