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J-GLOBAL ID：200902123863742508   整理番号：97A0627754

低張力の歪みを持つバルクGaInAsPを利用した高性能の1.55μmの偏光に感度のない半導体光増幅器

High performance 1.55μm polarisation-insensitive semiconductor optical amplifier based on low-tensile-strained bulk GaInAsP.

著者 (9件)： EMERY J-Y (Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA) ,  DUCELLIER T (Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA) ,  BACHMANN M (Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA) ,  DOUSSIERE P (Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA) ,  NGO R (Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA) ,  GABORIT F (Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA) ,  GOLDSTEIN L (Alcatel Corporate Res. Center, Marcoussis, FRA) ,  LAUBE G (Alcatel Telecom Res. Center, Stuttgart, DEU) ,  BARRAU J (INSA, Toulouse, FRA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 33  号： 12  ページ： 1083-1084  発行年： 1997年06月05日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低張力の歪みを持つ分離閉じ込めヘテロ構造を利用した,二重コア...

シソーラス用語： 光増幅器 ,...

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分類 (1件)： その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 張力 ,  歪み ,  バルク ,  GaInAsP ,  高性能 ,  偏光 ,  感度 ,  半導体光増幅器