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J-GLOBAL ID：200902123904928379   整理番号：97A0358962

水素注入Si,Ge,SiC及びダイヤモンド基板の層分離過程

Layer splitting process in hydrogen-implanted Si,Ge,SiC, and diamond substrates.

著者 (5件)： TONG Q-Y (Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  GUTJAHR K (Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  HOPFE S (Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  GOESELE U (Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  LEE T-H (Duke Univ., North Carolina)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 11  ページ： 1390-1392  発行年： 1997年03月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si,Ge,SiC及びダイヤモンド試料に120~160keV...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水素 ,  注入 ,  Si ,  Ge ,  SiC ,  ダイヤモンド基板 ,  層 ,  過程