内殻電子消滅による化合物半導体中の空格子点欠陥の同定 InPへの適用

ALATALO M; KAUPPINEN H; SAARINEN K; PUSKA M J; MAEKINEN J; HAUTOJAERVI P; NIEMINEN R M

文献

J-GLOBAL ID：200902124033975468 整理番号：95A0286539

内殻電子消滅による化合物半導体中の空格子点欠陥の同定 InPへの適用

Identification of vacancy defects in compound semiconductors by core-electron annihilation: Application to InP.

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資料名：
巻： 51 号： 7 ページ： 4176-4185 発行年： 1995年02月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

陽電子消滅放射のDoppler広がりを用いて,化合物半導体中...

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陽電子消滅 , 半導体の格子欠陥

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