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J-GLOBAL ID：200902124192803210   整理番号：99A0892721

金属有機気相エピタキシーによるシリコン上の多重量子井戸青色発光ダイオードInGaN/GaNの成長

Growth of InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes on silicon by metalorganic vapor phase epitaxy.

著者 (4件)： TRAN C A (Emcore Corp., New Jersey) ,  OSINSKI A (Emcore Corp., New Jersey) ,  KARLICEK R F JR (Emcore Corp., New Jersey) ,  BERISHEV I (Univ. Houston, Texas)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 11  ページ： 1494-1496  発行年： 1999年09月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板に対する最適成長条件で製作した標題ダイオード構...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属有機気相エピタキシー ,  シリコン ,  多重量子井戸 ,  青色発光ダイオード ,  InGaN ,  GaN ,  成長