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J-GLOBAL ID：200902124204087493   整理番号：02A0901801

高濃度SbドープSi(001)におけるドーパントの脱活性化 高分解能X線回折と透過電子顕微鏡観察

Dopant deactivation in heavily Sb doped Si (001): A high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy study.

著者 (5件)： TAKAMURA Y (Stanford Univ., California) ,  VAILIONIS A (Stanford Univ., California) ,  MARSHALL A F (Stanford Univ., California) ,  GRIFFIN P B (Stanford Univ., California) ,  PLUMMER J D (Stanford Univ., California)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 92  号： 9  ページ： 5503-5507  発行年： 2002年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超浅,低抵抗接合を形成するため,ドーパント活性化法としてのレ...

シソーラス用語： *不活性化 ,...
準シソーラス用語： 失活

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高濃度 ,  Sb ,  ドープ ,  Si ,  ドーパント ,  脱活性化 ,  高分解能X線回折 ,  透過電子顕微鏡 ,  観察