へき開端被覆成長法によりCdSe/ZnSe量子ドットを作製する新しい方法

文献

J-GLOBAL ID：200902124532759938 整理番号：98A0414310

New approach to the fabrication of CdSe/ZnSe quantum dots using a cleaved-edge overgrowth technique.

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資料名：
巻： 184/185 ページ： 283-287 発行年： 1998年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

超高真空中で,分子ビームエピタクシーによるへき開GaAs(1...

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半導体薄膜

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