GaN-AlN-GaN構造における電荷分布に及ぼす歪誘起電場の影響

BYKHOVSKI A; GELMONT B; SHUR M

文献

J-GLOBAL ID：200902124554457846 整理番号：94A0062591

GaN-AlN-GaN構造における電荷分布に及ぼす歪誘起電場の影響

The influence of the strain-induced electric field on the charge distribution in GaN-AlN-GaN structure.

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巻： 74 号： 11 ページ： 6734-6739 発行年： 1993年12月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記のSIS構造ではI(絶縁体,AlN)層が薄ければ格子不整...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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