文献

J-GLOBAL ID：200902124974699276   整理番号：02A0199346

Si/Si_1-xGe_x共鳴トンネルダイオードのスケール化された性能

The Scaled Performance of Si/Si_1-xGe_x Resonant Tunneling Diodes.

著者 (2件)： SEE P (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  PAUL D J (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 22  号： 12  ページ： 582-584  発行年： 2001年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 緩和Si_0.8Ge<sub>0.2<...

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0199346&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  共鳴トンネルダイオード ,  スケール