ヘリコン波励起N2-Arプラズマ成長Si酸化窒化膜の電気特性とFowler-Nordheimストレス耐性に及ぼすガス流量比の効果

OKA F; TACHIKAWA M; TSUKUDA T; IKOMA H

文献

J-GLOBAL ID：200902125034850649 整理番号：00A0382668

ヘリコン波励起N₂-Arプラズマ成長Si酸化窒化膜の電気特性とFowler-Nordheimストレス耐性に及ぼすガス流量比の効果

Effects of Gas-Flow-Rate Ratio on Electrical Characteristics and Fowler-Nordheim Stress Resistance of Si Oxynitride Grown with Helicon-Wave-Excited N₂-Ar plasma.

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巻： 39 号： 3A ページ： 1013-1021 発行年： 2000年03月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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金属-絶縁体-半導体構造 , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (18件)：

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