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J-GLOBAL ID：200902125065105224   整理番号：02A0633414

バリスティックおよびトンネル伝導GaAs静電誘導トランジスタ テラHzエレクトロニクス用のナノデバイス

Ballistic and Tunneling GaAs Static Induction Transistors: Nano-Devices for THz Electronics.

著者 (3件)： NISHIZAWA J (Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN) ,  PLOTKA P (Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN) ,  KURABAYASHI T (Semiconductor Res. Inst., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49  号： 7  ページ： 1102-1111  発行年： 2002年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通信システムではテラHz周波数で動作するトランジスタが求めら...

シソーラス用語： *接合形FET ,...
準シソーラス用語： SIT【トランジスタ】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： バリ ,  スティック ,  トンネル ,  伝導 ,  GaAs ,  静電誘導トランジスタ ,  テラ ,  エレクトロニクス ,  ナノデバイス