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J-GLOBAL ID：200902125319713726   整理番号：95A0907701

SiGe/Siヘテロ構造の光ルミネセンスへの急熱焼鈍の効果

Effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence properties of SiGe/Si heterostructures.

著者 (6件)： SOUIFI A (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  BENYATTOU T (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  GUILLOT G (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  BREMOND G (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  DUTARTRE D (Centre National d’Etude des Telecommunications, Meylan, FRA) ,  WARREN P (Centre National d’Etude des Telecommunications, Meylan, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 78  号： 6  ページ： 4039-4045  発行年： 1995年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急熱化学蒸着法で作った標記材料のルミネセンス特性に育成温度と...

シソーラス用語： ケイ素合金 ,...

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分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  光ルミネセンス ,  熱焼