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J-GLOBAL ID：200902125551679631   整理番号：95A0818811

PtSiソース及びドレイン電界放出トランジスタの実験研究

Experimental investigation of a PtSi source and drain field emission transistor.

著者 (3件)： SNYDER J P (Stanford Univ., California) ,  HELMS C R (Stanford Univ., California) ,  NISHI Y (Hewlett-Packard ULSI Res. Lab., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 10  ページ： 1420-1422  発行年： 1995年09月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型PtSiのソース,ドレイン,無ギャップ金属-酸化物-半導...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ソース ,  ドレイン ,  電界放出 ,  トランジスタ ,  実験 ,  研究