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J-GLOBAL ID：200902125719497917   整理番号：01A0701837

Gaフラックス法によるMnSiとMnSi_2-x単結晶の成長とその性質

MnSi and MnSi_2-x single crystals growth by Ga flux method and properties.

著者 (8件)： OKADA S (Kokushikan Univ., Tokyo, JPN) ,  SHISHIDO T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OGAWA M (Tokyo Inst. Polytechnics, Atsugi, JPN) ,  MATSUKAWA F (Tokyo Inst. Polytechnics, Atsugi, JPN) ,  ISHIZAWA Y (Iwaki Meisei Univ., Iwaki, JPN) ,  NAKAJIMA K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUKUDA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  LUNDSTROEM T (Uppsala Univ., Uppsala, SWE)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 229  ページ： 532-536  発行年： 2001年07月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温のGaフラックスから,融体をアルゴン雰囲気内で低速冷却し...

シソーラス用語： ケイ化物 ,...

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分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ga ,  フラックス法 ,  単結晶の成長 ,  性質