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J-GLOBAL ID：200902125875049738   整理番号：95A0627448

BCl₃プラズマ中でのマグネトロン反応性イオンエッチングによるGaNの高エッチ速度

High etch rates of GaN with magnetron reactive ion etching in BCl₃ plasmas.

著者 (4件)： MCLANE G F (U.S. Army Res. Lab., New Jersey) ,  CASAS L (U.S. Army Res. Lab., New Jersey) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, Florida) ,  ABERNATHY C R (Univ. Florida, Florida)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 66  号： 24  ページ： 3328-3330  発行年： 1995年06月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記エッチングを陰極パワー密度,流束及び圧力をパラメータとし...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： マグネトロンRIE

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分類 (1件)： プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (6件)： BCl3 ,  プラズマ ,  マグネトロン ,  反応性イオンエッチング ,  GaN ,  エッチ速度