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J-GLOBAL ID：200902125945507178   整理番号：96A0563591

有機金属化学気相成長法によって成長させたMgドープp型GaN中の深い準位欠陥

Deep level defects in Mg-doped, p-type GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition.

著者 (3件)： GOETZ W (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  JOHNSON N M (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  BOUR D P (Xerox Palo Alto Res. Center, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 68  号： 24  ページ： 3470-3472  発行年： 1996年06月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mgドープp型GaN中の深い準位の欠陥を,深準位過渡分光法(...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 価電子帯 ,...

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分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学気相成長法 ,  成長 ,  Mg ,  ドープ ,  GaN ,  深い準位 ,  欠陥