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J-GLOBAL ID：200902126111310810   整理番号：98A0800773

p型GaNに対するオーム性電極材の酸素アニール効果

Effects of annealing in an oxygen ambient on electrical properties of Ohmic contacts to p-GaN.

著者 (6件)： 前田知幸 (京大 大学院) ,  藤田聡 (京大 大学院) ,  小出康夫 (京大 大学院) ,  村上正紀 (京大 大学院) ,  上村俊也 (豊田合成) ,  柴田直樹 (豊田合成)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 98  号： 185(ED98 84-97)  ページ： 89-94  発行年： 1998年07月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： p型GaNに対するAu基オーム性電極材(NiAu,CoAu,...

シソーラス用語： P型半導体 ,...
準シソーラス用語： 酸素アニール

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分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (7件)：

• NAKAMURA, S. 40th Electric Materials Conference, Abstract, June 24-26, 1998. 1998, 67
• NAKAMURA, S. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1687
• ISHIKAWA, H. J. Appl. Phys. 1997, 81, 3, 1315-1322
• KOIDE, Y. 2nd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, October, 1996. 1996, 45
• KOIDE, Y. Appl. Surf. Sci. 1997, 117/118, 373-379

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  オーム ,  電極材 ,  酸素 ,  アニール効果