水素化物気相エピクシーによる,RFスパッタ成長AlNバッファ層上へのGaN厚膜の成長

文献

J-GLOBAL ID：200902126901105133 整理番号：97A0833573

Growth of Thick GaN Films on RF Sputtered AlN Buffer Layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy.

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巻： 26 号： 8 ページ： 898-902 発行年： 1997年08月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高結晶性GaN厚膜を,GaCl₃とNH...

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固体デバイス材料 , 半導体の結晶成長

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