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J-GLOBAL ID：200902127059671148   整理番号：98A0386066

Naフラックス中で成長させたGaN単結晶の形態と特性評価

Morphology and characterization of GaN single crystals grown in a Na flux.

著者 (4件)： YAMANE H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMADA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SEKIGUCHI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  DISALVO F J (Cornell Univ., New York, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 186  号： 1/2  ページ： 8-12  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のGaN単結晶の形態を走査電子顕微鏡で観察した。Na/(...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Na ,  フラックス ,  成長 ,  GaN ,  単結晶 ,  形態 ,  特性評価