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J-GLOBAL ID：200902127256360600   整理番号：00A0596712

多結晶オリゴチオフェン薄膜トランジスタにおける正孔移動度の温度とゲート電圧への依存性

Temperature and gate voltage dependence of hole mobility in polycrystalline oligothiophene thin film transistors.
著者 (3件)：
HOROWITZ G

HOROWITZ G について

(Lab. Mat<span style=text-decoration:overline> ́e</span>riaux Mol<span style=text-decoration:overline> ́e</span>culaires, CNRS, Thiais, FRA)

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HAJLAOUI M E

HAJLAOUI M E について

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HAJLAOUI R

HAJLAOUI R について

(Lab. Mat<span style=text-decoration:overline> ́e</span>riaux Mol<span style=text-decoration:overline> ́e</span>culaires, CNRS, Thiais, FRA)

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資料名：
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

Journal of Applied Physics について


巻： 87  号： 9,Pt.1  ページ： 4456-4463  発行年： 2000年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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温度範囲10~300Kで多結晶セキシチオフェン(6T)薄膜ト...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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半導体薄膜

半導体薄膜 について

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分類 (3件)：
分類
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有機化合物の電気伝導 
(BM03045F)

有機化合物の電気伝導 について

,  有機化合物の薄膜 
(BK14070L)

有機化合物の薄膜 について

,  トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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多結晶

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オリゴチオフェン

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薄膜トランジスタ

薄膜トランジスタ について

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正孔移動度

正孔移動度 について

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ゲート電圧

ゲート電圧 について

, 
依存性

依存性 について


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