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J-GLOBAL ID：200902127332248113   整理番号：97A0627756

高電圧のP⁺ポリシリコン/N^-6H-SiCヘテロ接合ダイオード

High voltage P⁺ polysilicon/N^- 6H-SiC heterojunction diodes.

著者 (2件)： SHENOY P M (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  BALIGA B J (North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 33  号： 12  ページ： 1086-1087  発行年： 1997年06月05日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ショットキーバリアダイオードとpn接合ダイオードの両者の利点...

シソーラス用語： 多結晶 ,...

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電圧 ,  ポリシリコン ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード