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J-GLOBAL ID：200902127386686957   整理番号：96A0213584

プラズマ支援有機金属化学蒸着により成長させた高抵抗CHドープGaN

Highly resistive CH-doped GaN grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition.

著者 (1件)： SATO M (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 68  号： 7  ページ： 935-937  発行年： 1996年02月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高抵抗(>10⁶Ωcm)のGaN膜を(...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  CH ,  ドープ ,  GaN