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J-GLOBAL ID：200902127444042216   整理番号：01A0433720

メタンのdcグロー放電による蒸着過程におけるSi上の炭素核形成及び成長のその場分光偏光解析法による評価

In situ spectroscopic ellipsometry of carbon nucleation and growth on Si in a deposition process by DC glow discharge of methane.

著者 (6件)： MORITANI A (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KITAHARA K (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KITAMURA T (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KATAYAMA H (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KANAYAMA N (Inst. Industrial Sci. and Technol., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI M (J.A. Woollam Japan Co., Tokyo, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 386  号： 2  ページ： 137-141  発行年： 2001年05月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100%メタンのdcグロー放電を用いた1170~1270Kの...

シソーラス用語： *グロー放電 ,...
準シソーラス用語： 黒鉛

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (10件)： メタン ,  DC ,  グロー放電 ,  蒸着過程 ,  Si ,  炭素 ,  核形成 ,  成長 ,  分光偏光解析法 ,  評価