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J-GLOBAL ID：200902127512678272   整理番号：99A0525575

ほう素を浅く注入したけい素における電気的活性化の速度論

Electrical activation kinetics for shallow boron implants in silicon.

著者 (2件)： FIORY A T (Bell Lab., New Jersey) ,  BOURDELLE K K (Bell Lab., Florida)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 74  号： 18  ページ： 2658-2660  発行年： 1999年05月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 500eV~1keVのBイオンを10<sup>15</sup...

シソーラス用語： *ホウ素 ,...

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分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ほう素 ,  注入 ,  けい素 ,  電気的活性 ,  速度論