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J-GLOBAL ID：200902127720347417   整理番号：01A0781019

拡散バリアとしてTaNを使ったGaAs MESFETの裏面銅メタライゼーション

Backside Copper Metallization of GaAs MESFETs Using TaN as the Diffusion Barrier.

著者 (4件)： CHEN C-Y (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG E Y (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG L (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN S-H (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 6  ページ： 1033-1036  発行年： 2001年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si VLSIにおける銅メタライゼーションの利点には,低い配...

シソーラス用語： *MESFET ,...
準シソーラス用語： TaN ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 拡散バリア ,  GaAs ,  MESFET ,  銅 ,  メタライゼーション