逆位相ダイレクトボンディングとGaAs基板上へのInPベース1.55μm波長レーザの作製への応用

OKUNO Y; UOMI K; AOKI M; TANIWATARI T; SUZUKI M; KONDOW M

文献

J-GLOBAL ID：200902127725330326 整理番号：95A0192276

逆位相ダイレクトボンディングとGaAs基板上へのInPベース1.55μm波長レーザの作製への応用

Anti-phase direct bonding and its application to the fabrication of InP-based 1.55μm wavelength lasers on GaAs substrates.

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資料名：
巻： 66 号： 4 ページ： 451-453 発行年： 1995年01月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

逆位相ダイレクトボンディングを提案し,デバイス作製へのその応...

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半導体レーザ , 固体デバイス製造技術一般

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