文献
J-GLOBAL ID:200902127729805329   整理番号:00A0455985

Si/Ge超格子薄膜の異常に大きい熱電能の起源の研究

The Study of the Origin of the Anomalously Large Thermoelectric Power of Si/Ge Superlattice Thin Film.
著者 (4件):
資料名:
巻: 39  号: 4A  ページ: 1675-1677  発行年: 2000年04月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
SiとAuをドープしたGeとの超格子薄膜の熱電能は異常に大き...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0455985&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体結晶の電気伝導  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 

前のページに戻る