高密度,低電圧動作フラッシュメモリに適する新しいゲートオフセットNANDセル(GOC-NAND)技術

SATOH S; NAKAMURA T; SHIMIZU K; TAKEUCHI K; IIZUKA H; ARITOME S; SHIROTA R

文献

J-GLOBAL ID：200902127774144384 整理番号：00A0479625

高密度,低電圧動作フラッシュメモリに適する新しいゲートオフセットNANDセル(GOC-NAND)技術

A Novel Gate-Offset NAND Cell(GOC-NAND) Technology Suitable for High-Density and Low-Voltage-Operation Flash Memories.

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Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

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巻： 1999 ページ： 271-274 発行年： 1999年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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