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J-GLOBAL ID：200902127781898343   整理番号：01A0016999

水素化物気相エピタクシーで作製したGaN鋳型上に分子ビームエピタクシーで成長させた高移動度AlGaN/GaNヘテロ構造

High-mobility AIGaNlGaN heterostructures grown by molecutar-beam epitaxy on GaN templates prepared by hydride vapor phase epitaxy.

著者 (8件)： MANFRA M J (Bell Lab., New Jersey) ,  PFEIFFER L N (Bell Lab., New Jersey) ,  WEST K W (Bell Lab., New Jersey) ,  STORMER H L (Bell Lab., New Jersey) ,  BALDWIN K W (Bell Lab., New Jersey) ,  HSU J W P (Bell Lab., New Jersey) ,  LANG D V (Bell Lab., New Jersey) ,  MOLNAR R J (MIT, Massachusetts)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 18  ページ： 2888-2890  発行年： 2000年10月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のAlGaN/GaNヘテロ構造の界面に閉込めた高移動度二...

シソーラス用語： 水素化物 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (9件)： 水素化物気相エピタクシー ,  作製 ,  GaN ,  鋳型 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  高移動度 ,  AlGaN ,  ヘテロ構造