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J-GLOBAL ID：200902127841780983   整理番号：98A0171655

高帯電イオン衝撃により生じた黒鉛欠陥の走査トンネル顕微鏡および原子間力顕微鏡による研究

Scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy study of graphite defects produced by bombarding with highly charged ions.

著者 (6件)： MOCHIJI K (Japan Sci. and Technol. Corp.(JST), Saitama, JPN) ,  YAMAMOTO S (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  SHIMIZU H (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  OHTANI S (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  SEGUCHI T (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI N (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 82  号： 12  ページ： 6037-6040  発行年： 1997年12月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 帯電状態8以下の高帯電Arイオンの単一イオン衝撃で黒鉛表面に...

シソーラス用語： 炭素 ,...
準シソーラス用語： 黒鉛 ,...

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分類 (2件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 帯電 ,  イオン衝撃 ,  黒鉛 ,  欠陥 ,  走査トンネル顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  研究