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J-GLOBAL ID：200902128086271271   整理番号：93A0643046

Doping of InGaP epitaxial layers grown by low pressure metal-organic chemical vapor deposition.

著者 (5件)： WU C C (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN K C (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHAN S H (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  FENG M S (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG C Y (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： 19  号： 3  ページ： 234-239  発行年： 1993年06月20日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： InGaP