文献
J-GLOBAL ID：200902128169991969
整理番号：95A0125281
AlGaAs/GaAs/InGaAs歪量子井戸レーザのしきい電流密度に対する転位の影響
Influence of Dislocations on the Threshold Current Density of AlGaAs/GaAs/InGaAs Strained Quantum-Well Lasers.
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=95A0125281©=1") }}
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0125281&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}
著者 (2件)：
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資料名：
巻：
33
号：
12A
ページ：
6516-6517
発行年：
1994年12月
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Siドープn
+-GaAs基板にMBE成...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件)：
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半導体レーザ
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