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J-GLOBAL ID：200902128224200704   整理番号：02A0397797

SiCパワーMOSFETの現状と展望

Status and Prospects for SiC Power MOSFETs.

著者 (5件)： COOPER J A JR (Purdue Univ., IN, USA) ,  MELLOCH M R (Purdue Univ., IN, USA) ,  SINGH R (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  AGARWAL A (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  PALMOUR J W (Cree Res. Inc., NC, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49  号： 4  ページ： 658-664  発行年： 2002年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1992年以降のSiCパワーMOSFETの開発についてレビュ...

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,...
準シソーラス用語： パワー素子 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  パワーMOSFET ,  現状 ,  展望